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最新科技动态显示，三星的高带宽记忆体（High Bandwidth Memory, HBM）技术尚未获得GPU巨头英伟达（NVIDIA）的认证，导致其落后于竞争对手SK海力士。这一挫折直接导致三星半导体部门负责人更迭。尽管三星官方否认HBM存在问题，并强调与合作伙伴的紧密合作，但市场消息来源通过TechNews透露，三星确实在HBM的发展上遇到了阻碍。

三星早年投资HBM技术并与英伟达合作开发了HBM和HBM2，但销售表现平平。TechNews报导指出，三星的HBM团队后来转移到SK海力士，继续研发HBM产品。未曾预料的是，生成式AI的兴起导致HBM需求激增，SK海力士凭借这一趋势及团队力量抓住了发展机遇。

三星的不幸在于，经过多年的耕耘，却在市场爆发之际遭遇挫败。现在，三星必须另寻出路以追赶市场。记忆体IC设计大厂 Silicon Motion的总裁Wallace C. Kou指出，市场仍然需要三星，特别是当英伟达面临AI芯片供应短缺时，作为最大记忆体供应商的三星与英伟达合作只是时间问题。

此外，三星近期声明中表示，正与多家合作伙伴进行HBM的测试，以确保产品质量和可靠性。三星强调，正与客户密切合作优化产品，测试进程顺利，符合既定计划。鉴于HBM作为定制化记忆体，需根据客户需求进行优化。

三星还透露，目前正与多家企业紧密合作，持续进行技术与性能测试，以全面验证HBM的质量与性能。

另一边，英伟达有多款GPU采用HBM3e，包括H200、B200、B100和GB200，尽管均需HBM3e堆叠技术，但它们的功耗和散热要求各异。三星的HBM3e或许更适合H200、B200及AMD Instinct MI350X等产品。

由此可见，尽管面临暂时的失利，三星在HBM领域的深厚积累和技术优化，结合市场需求和合作伙伴的多元化策略，仍有可能助其重新夺回在HBM市场的领先地位。