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0. 参考

电流模架构Bandgap设计与仿真

bandgap的理解（内部带隙电压基准）
 

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虽然看不懂这些公式，但是比较重要的一句应该是这个：因为传统带隙基准的输出值为1.2V

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1. 使用

参考示例代码。

40002000是falsh控制器寄存器，40002058应该也是flash相关。

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flash控制寄存器到0x40002040就结束了，参考下表的地址规律，在0x40002044应该就是eflash控制寄存器结束地址。跟代码里面的40002058没有啥关系。

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可以看到这个也是存在falsh中，手册中没有说明这个地址的作用，应该也是专门用来存储基校准电压的地方。

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看到7801的BG输出电压是1.2V，并且出厂自带校准。

温度曲线斜率1.692，单位是mV/℃

25℃时候电压是0.72V

可以看到低5位用来存储BG校准值

高8位用来存储25℃时候的温度值

    TsensorCali = *((uint32_t *)0x40002058);VbandgapRT = (uint8_t)(TsensorCali & 0x1F); // 0 1111 低5位 VtsensorRT = (uint8_t)((TsensorCali >> 8) & 0xFF);  // 1111 1111 高8位

最高位第5位不为0  因此可以判断第5位是符号位

最高位第8位不为0  因此可以判断第8位是符号位

经过换算之后1200的ADC值对应的就是1.2V电压值。

温度值720对应0.72V【720mV】，与后面的0.5系数就不太懂了，应该是特殊公式。

    /* BG calibration */if (VbandgapRT >> 4) //最高位第5位不为0  因此可以判断第5位是符号位{bgVol = 1200 - (VbandgapRT & 0xF); }else{bgVol = 1200 + (VbandgapRT & 0xF);}/* Vtsensor calibration */if (VtsensorRT >> 7)   //最高位第8位不为0  因此可以判断第8位是符号位{vt25Vol = 720 - (VtsensorRT & 0x7F) * 0.5;}else{vt25Vol = 720 + (VtsensorRT & 0x7F) * 0.5;}

进行ADC采样

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测出来的数据

使用BG的校准值和测出来的BG值对温度ADC值进行校准

ADC值即mV单位的电压值，进行温度曲线斜率换算，得到目前的温度值。